Сбор средств 15 Сентября 2024 – 1 Октября 2024
О сборе средств
поиск книг
книги
Сбор средств:
58.6% достигнуто
Войти
Войти
авторизованным пользователям доступны:
персональные рекомендации
Telegram бот
история скачиваний
отправить на Email или Kindle
управление подборками
сохранение в избранное
Личное
Запросы книг
Изучение
Z-Recommend
Подборки книг
Самые популярные
Категории
Участие
Поддержать
Загрузки
Litera Library
Пожертвовать бумажные книги
Добавить бумажные книги
Search paper books
Мой LITERA Point
Поиск ключевых слов
Main
Поиск ключевых слов
search
1
Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors: Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Springer India
Souvik Mahapatra (eds.)
stress
nbti
δvt
devices
gate
measured
hkmg
degradation
shown
mosfets
evolution
pbti
generation
recovery
δvit
dependence
traps
bti
insulator
measurements
δnit
mahapatra
tstr
eox
chap
electron
exponent
trapping
delay
dciv
shows
reliability
device
discussed
method
measurement
bias
msm
figure
obtained
physics
pdc
temperature
δvht
symposium
impact
parameters
proceedings
activation
fixed
Год:
2016
Язык:
english
Файл:
PDF, 20.69 MB
Ваши теги:
0
/
0
english, 2016
1
Перейдите по
этой ссылке
или найдите бота "@BotFather" в Telegram
2
Отправьте команду /newbot
3
Укажите имя для вашего бота
4
Укажите имя пользователя для бота
5
Скопируйте последнее сообщение от BotFather и вставьте его сюда
×
×